Examinando por Autor "Duque Echeverri, Carlos Alberto"

Mostrando 1 - 7 de 7
  • Miniatura
    PublicaciónSólo datos
    DISPERSIÓN RAMAN DE ELECTRONES EN PUNTOS CUÁNTICOS PIRAMIDALES
    (Fondo Editorial EIA - Universidad EIA, 2016-05-16) Morales Aramburo, Álvaro Luis; Duque Echeverri, Carlos Alberto; Restrepo Arango, Ricardo León
    En este artículo se investiga teóricamente la dispersión Raman de electrones en puntos cuánticos piramidales. Se reporta la sección transversal diferencial Raman electrónica de Raman usando los estados cuánticos determinados analíticamente dentro de la aproximación de masa efectiva. Las características de la sección transversal diferencial Raman se discuten en términos de su dependencia de los cambios de la geometría de punto cuántico.
  • Miniatura
    PublicaciónSólo datos
    Efectos geométricos sobre las propiedades electrónicas y ópticas de puntos cuánticos cónicos de GaN (Punto cuántico cónico)
    (Fondo Editorial EIA - Universidad EIA, 2020-06-21) Paredes Caicedo, Dahana; Osorio Henao, John Alexander; Vinasco Suarez, Juan Alejandro; Morales Aramburo, Alvaro Luis; Duque Echeverri, Carlos Alberto
    Haciendo uso de la aproximación de masa efectiva y de cálculos numéricos con el método de elementos finitos, se reportan las propiedades ópticas y electrónicas de un electrón confinado en un punto cuántico de GaN, en forma de sector cónico esférico. Se reportan los estados electrónicos, el cuadrado del momento de dipolo y los coeficientes de absorción óptica y de cambios en el índice de refracción como funciones del radio y del ángulo apical de la estructura. Del estudio se puede concluir que: i) elecciones adecuadas del ángulo apical y del radio del punto cuántico pueden dar origen a magnificaciones en las propiedades ópticas y ii) corrimientos al rojo de las estructuras resonantes de las propiedades ópticas se asocian claramente con el aumento tanto del ángulo apical como del radio de la estructura.
  • Miniatura
    PublicaciónSólo datos
    Estados electrónicos de puntos cuánticos piramidales y cónicos
    (Fondo Editorial EIA - Universidad EIA, 2018-11-26) Gil Corrales, John Alexander; Morales Aramburo, Alvaro Luis; Duque Echeverri, Carlos Alberto
    Los estados electrónicos confinados en un punto cuántico de GaAs, de forma piramidal y cónica, se han investigado a través del enfoque cuasi analítico válido para ángulos pequeños y el método exacto de elementos finitos para incluir todos los ángulos y alturas. Se han reportado los resultados de la energía de confinamiento en función de la forma y el tamaño de ambas estructuras y finalmente se han comparado los valores aproximados con los exactos provenientes del método de elementos finitos.
  • Miniatura
    PublicaciónAcceso abierto
    Informe de Semillero de Investigación 2021-2
    Carrillo Trejo, Erika Cecilia; Henriquez Tapias, Joshua Esteban; Solano Pernett, Jorge Mario; Morales Aranburu, Álvaro Luis; Duque Echeverri, Carlos Alberto; Restrepo Arango, Ricardo León; Semillero de Nanoestructuras Semiconductoras, Universidad EIA
    Se presentan los cálculos téoricos de los niveles de energía para un electr ón en pozos cuánticos de CdS/CdTe bajo efectos de campos eléctricos externos. Los resultados se presentan en dependencia con el ancho de las barreras, el ancho de los pozos, la amplitud de los campos eléctricos y la concentración del azufre en las barreras de la heteroestructura, respectivamente. Se discuten los efectos de la variación de la concentración de azufre de los pozos cuánticos y de los campos eléctricos sobre los niveles de energía, en los elementos de la matriz de dipolo y en los coeficientes de la absorción óptica no lineal, además, de la combinación de ambos efectos en estas propiedades. Se encuentra que las transiciones electrónicas corresponden a energías del infrarrojo medio en la región de los terahertz.
  • Miniatura
    ÍtemAcceso abierto
    Nanomateriales semiconductores ajustables para diagnósticos biomédicos de nueva generación
    (2025) Prada Urrea, Angie Liseth; Echeverri Cuartas, Claudia Elena; Agudelo Pérez, Natalia Andrea; Restrepo Arango, Ricardo León; Morales Aramburo , Álvaro Luis; Duque Echeverri, Carlos Alberto
    Este proyecto explora el uso de nanomateriales semiconductores—específicamente, puntos cuánticos biofuncionalizados—para el desarrollo de biosensores ópticos de próxima generación. Al modificar la estructura y las propiedades de confinamiento de estos nanomateriales, es posible controlar con precisión su comportamiento electrónico y óptico. Esta capacidad de ajuste permite crear plataformas de biosensado altamente sensibles y específicas, con un gran potencial para la detección rápida y precisa de enfermedades. La investigación se alinea con los objetivos estratégicos en innovación desde las ciencias básicas a la salud y podría fortalecer significativamente las contribuciones de la universidad en el ámbito del diagnóstico en salud y la nanotecnología.
  • Miniatura
    PublicaciónSólo datos
    POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES
    (Fondo Editorial EIA - Universidad EIA, 2016-05-16) Martínez Rendón, Valentina; Castaño Uribe, Carolina; Giraldo Martínez, Andrea; González Pereira, Juan Pablo; Restrepo Arango, Ricardo León; Morales Aramburo, Álvaro Luis; Duque Echeverri, Carlos Alberto
    Se presentan los cálculos teóricos de la energía y la función de onda del estado base y primer estado excitado de un electrón confinado en un pozo cuántico de GaAsAl/GaAs con perfil de potencial tipo Morse usando la aproximación de masa efectiva y el método de función de onda envolvente. Se analizan las transiciones inter-sub-banda de acuerdo a los parámetros que definen la geometría del potencial de Morse para representar la inter-difusión entre los materiales de la barrera y del pozo. Adicionalmente, se presentan los picos de la rectificación óptica no lineal en función de la energía de los fotones incidentes y su resonancia con la energía de transición entre los dos estados. Se aplica un campo eléctrico en la dirección de crecimiento del pozo cuántico y un campo magnético perpendicular a la heteroestructura con el fin estudiar los corrimientos de los picos de la respuesta óptica en el espectro de los fotones incidentes.
  • Miniatura
    PublicaciónSólo datos
    Propiedades electrónicas de un anillo cuántico elíptico con sección transversal rectangular
    (Fondo Editorial EIA - Universidad EIA, 2019-01-20) Vinasco Suarez, Juan Alejandro; Radu, Adrian; Duque Echeverri, Carlos Alberto
    Los estados electrónicos de un anillo cuántico elíptico de GaAs embebido en una matriz de AlxGa1-xAs son investigados mediante la aproximación de masa efectiva. El anillo cuántico es construido con una sección transversal rectangular (dirección radial). La ecuación de Schrödinger es resuelta mediante el método de elementos finitos. En dirección angular se modula la amplitud de la altura, lo que permite la generación de puntos cuánticos a lo largo del anillo. Se reportan las energías del electrón como función de las dimensiones del anillo, tanto las longitudes de las elipses en el plano xy como su altura (eje z).