Examinando por Materia "películas delgadas"

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    Medidas de transmitancia espectral sin la presencia de franjas de interferencia: un modelo para la obtención de las constantes ópticas en películas delgadas semiconductoras
    (Fondo Editorial EIA - Universidad EIA, 2014-04-29) Quiroz Gaitán, Heiddy Paola; López Ospina, Sandra Marcela; Calderón Cómbita, Jorge Arturo; Dussán Cuenca, Anderon
    En este trabajo presentamos un modelo para la obtención de las constantes ópticas de películas delgadas semiconductoras cuando no es posible observar franjas de interferencia en los espectros. La obtención de las cons- tantes ópticas como el coeficiente de absorción (α), el índice de refracción (n), coeficiente de extinción (k) y las propiedades físicas como el ancho de brecha prohibida «Gap» (Eg) y el espesor de la película (d), fueron obtenidos para películas delgadas del compuesto Cu2ZnSnSe4 mediante la deconvolución de los espectros experimentales. Para el análisis de las medidas de transmitancia se tomó como base modelo de Bhattacharyya y elementos básicos de la teoría de Sweneapoel. El modelo aquí presentado tiene en cuenta consideraciones de inhomogeneidad en la película y rugosidad en la superficie. Los valores para las constantes ópticas obtenidas por el modelo propuesto presentaron concordancia con los obtenidos para las muestras a partir de la teoría de Sweneapoel, cuando fue posible su aplica- ción. Una variación del ± 6 % fue observada para los valores del espesor, los cuales fueron corroborados mediante la realización de medidas de perfilometría. Abstract: This paper presents a model for obtaining the optical constants of thin films semiconductors. It is possible when there are not interference fringes in the transmittance spectra. Optical constants as the absorption coefficient (α), refrac- tive index (n), extinction coefficient (k) and other physical properties (Gap (Eg) and thickness (d)) were obtained for the Cu2ZnSnSe4 compound by deconvolution experimental spectra. Bhattacharyya model and basic elements of Swanepoel theory were used for analysis of transmittance measurements. TheModel presented takes into account considerations of inhomogeneity in the film and surface roughness. Values for the optical constants obtained by the proposed model showed agreement with those obtained for samples from Swanepoel theory, when its implementation was possible. A variation of ± 6 % for thickness values, which were corroborated by performing profilometry measurements, was observed. 
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    Propiedades físicas de nanoestructuras de GaSb para aplicaciones en espintrónica
    (Fondo Editorial EIA - Universidad EIA, 2019-01-20) Quiroz Gaitán, Heiddy Paola; Sarmiento Cruz, Norma Diana; Rodriguez, Ismael Fernando; Dussan Cuenca, Anderson; Velasquez Moya, Ximena Audrey
    En este trabajo se fabricaron películas delgadas nanoestructuradas de GaSb por el método de pulverización catódica asistidas por campo magnético sobre sustratos de vidrio e ITO. Se realizaron procesos de recocido posterior a la preparación y bajo condiciones de alto vacío que evitaran la incorporación  de átomos de oxígeno presentes en la atmósfera. A partir de medidas de difracción de rayos X se pudo establecer una estructura tipo blenda de Zinc y fases de InO asociadas al sustrato ITO. Los procesos de recocido permitieron evidenciar una mejora significativa en la cristalinidad del material siendo éste menos amorfo cuando la temperatura de recocido (Tr) fue de 673 K. Un valor de la brecha de energía prohibida variando entre 0.75 y 0.85 eV fue obtenido en muestras de GaSb cuando la Tr cambió entre 300 K y 673 K, respectivamente.  Medidas de microscopia electrónica de barrido y fuerza atómica permitieron obtener información de la morfología en la superficie del material.